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變頻器中電子元器件的失效機(jī)理與故障分析

發(fā)布人:遼寧國(guó)辰      發(fā)布時(shí)間:2022-11-14      點(diǎn)擊次數(shù):2
電子設(shè)備絕大部分的故障最終都是由元器件老化損壞引起,如熟悉各種器件的特性,損壞機(jī)理及故障類型,就能依賴萬(wàn)用表簡(jiǎn)單測(cè)電阻,導(dǎo)通壓降等很快找出故障,所以了解熟悉電子器件的失效機(jī)理和故障現(xiàn)象,對(duì)發(fā)現(xiàn)分析解決故障有很大幫助。

主要是晶體管,二極管,MOS管,可控硅等,其中關(guān)鍵測(cè)試PN結(jié),失效原因一般是設(shè)計(jì)制造質(zhì)量,過(guò)壓,過(guò)流,溫度,潮濕,老化等引起。

常見(jiàn)故障有:

1)擊穿:常由于PN結(jié)被電壓,電流打壞,引起正反向電阻接近或?qū)ń咏?,用數(shù)字表PN結(jié)檔測(cè)量很容易測(cè)出。但是對(duì)一些軟故障如熱擊穿要一定條件下才能出現(xiàn)解決。

2)開(kāi)路:往往是通過(guò)電流過(guò)大引起,同上測(cè)PN結(jié)很容易發(fā)現(xiàn),正反向電阻都無(wú)窮大。

3)放大倍數(shù)變化,性能下降且受溫度影響引起,一般對(duì)數(shù)字電路影響不大。對(duì)模擬放大電路可能引起失真噪音或嘯叫。

4)驅(qū)動(dòng)性能下降或失效:對(duì)MOS管,由于其柵極一不小心就會(huì)被靜電擊穿造成管子損壞,所以搬移安裝中千萬(wàn)注意;可控硅的控制極也有可能擊穿損壞,檢測(cè)中要注意。

不同晶體管結(jié)構(gòu)不同,檢查方法也不同,MOS管測(cè)內(nèi)部寄生二極管(續(xù)流二極管)

只要擊穿了該管子也損壞了。對(duì)可控硅從等效電路圖來(lái)測(cè)相應(yīng)的數(shù)值判斷。
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